K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16TD-062E AUT:R مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G165WG-BCWE توسط Samsung Electronics و MT40A512M16TD-062E AUT:R توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron
MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G165WG-BCWE | MT40A512M16TD-062E AUT:R |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $16.90 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| نرخ داده | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| دمای کاری | 0C to +85C | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5 x 13 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh interval spec] |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 (AUT grade) |
| Packaging Suffix | — | -R (Tape & Reel) |
| Speed Grade | — | -062E |
| Technology Family | — | DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |