K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16TD-062E AUT:R השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G165WG-BCWE מאת Samsung Electronics ו MT40A512M16TD-062E AUT:R מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ פעיל
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16TD-062E AUT:R
מותג Samsung Electronics Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $16.90 —
סוג זיכרון DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
גודל זיכרון 4 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
ממשק Parallel Parallel
קצב נתונים 3200 Mbps —
Access Time 19 ns 19 ns
מתח אספקה 1.2 V 1.2 V
טמפרטורת פעולה 0C to +85C —
מארז FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
סטטוס RoHS Compliant (per JLCPCB listing) —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] —
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] [DATA_NEEDED: refresh interval spec]
ארגון — 512M x 16
Clock Frequency / Data Rate — 1.6 GHz
Automotive Qualification — AEC-Q100 (AUT grade)
Packaging Suffix — -R (Tape & Reel)
Speed Grade — -062E
Technology Family — DDR4 SDRAM (SDR/DDR family)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר