K4RBH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4RBH165VB-BCQK توسط Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ فعال
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4RBH165VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
اندازه حافظه 16 Gb —
سازمان 1G x 16 2G x 8
نرخ داده 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
دمای کاری 0 C to +85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] —
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
رابط — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
بسته‌بندی — FBGA-82
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت