K4RBH165VB-BCQK vs K4RBH086VB-BCQK مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RBH165VB-BCQK توسط Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RBH165VB-BCQK | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| اندازه حافظه | 16 Gb | — |
| سازمان | 1G x 16 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 4800 Mbps/pin | 4800 Mbps |
| Speed Grade | BCQK (4800 Mbps) | — |
| دمای کاری | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Reset Function | Asynchronous reset | — |
| Error Correction | On-chip (on-die) ECC | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] | — |
| Package Type | [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| رابط | — | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| On-die ECC | — | Yes |
| بستهبندی | — | FBGA-82 |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |