M29W128GH70ZA3E vs M29W128GH70N3E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W128GH70ZA3E توسط Micron Technology و M29W128GH70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W128GH70ZA3E M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W128GH70N3E M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W128GH70ZA3E M29W128GH70N3E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash
اندازه حافظه 128 Mbit 128 Mbit (16 MB)
سازمان 8M x 16 8M x 16 / 16M x 8
رابط Parallel Parallel (asynchronous)
Access Time 70 ns 70 ns
Technology SLC NOR —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
بسته‌بندی 64-TBGA (10x13 mm) 56-TSOP
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: supply voltage range] 2.7 V to 3.6 V
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Boot Block Architecture Bottom boot (GH suffix) —
Program/Erase Voltage [DATA_NEEDED: program/erase voltage] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
CFI Compliant [DATA_NEEDED: CFI compliance] —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 56
عرض گذرگاه داده — 16 bit (byte/word selectable)
Memory Density — 131072 kbit
Programming — Command-sequence program/erase with status polling
Application Segment — Automotive / Industrial code storage
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت