M29W160ET70N3F vs M29W160EB80ZA3SE مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W160ET70N3F توسط Micron Technology و M29W160EB80ZA3SE توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ فعال
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W160ET70N3F M29W160EB80ZA3SE
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
اندازه حافظه 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 80 ns
ولتاژ تغذیه 3 V / 3.3 V 2.7 V to 3.6 V
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
بسته‌بندی 48-pin TSOP 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Packaging Tape and Reel Tape & Reel (TR)
وضعیت RoHS RoHS-compliant package (F option) Pb-free (SE suffix)
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
رابط — Parallel (Byte-wide / Word-wide)
سازمان — 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
دمای کاری — -40C to +125C
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت