MRF6S21060NBR1 vs MRF6S21060BR1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MRF6S21060NBR1 توسط NXP Semiconductors و MRF6S21060BR1 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
NXP Semiconductors
MRF6S21060BR1 - 14W RF Power LDMOS Transistor 2.12GHz | NXP
MRF6S21060BR1 Obsoleteمقایسه مشخصات
| پارامتر | MRF6S21060NBR1 | MRF6S21060BR1 |
|---|---|---|
| برند | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | Obsolete |
| نوع ترانزیستور | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode | N-Channel Enhancement-Mode LDMOS |
| Technology | RF Power Field Effect Transistor | — |
| Drain-Source Voltage (Rated) | 68 V | — |
| Operating Frequency Range | 2110 MHz to 2170 MHz | — |
| Test Frequency | 2.12 GHz | — |
| Test Drain Voltage (VDD) | 28 V | — |
| Test Quiescent Current (IDQ) | 1600 mA | — |
| Power Gain | 15.5 dB | 15.5 dB at 2.12 GHz |
| Output Power (Avg, Single-Carrier W-CDMA) | 14 W | — |
| Power Added Efficiency | [DATA_NEEDED: PAE %] | — |
| Operating Mode | Class AB | Class AB |
| بسته‌بندی | TO-272 WB-4 (ceramic flanged) | — |
| نوع نصب | Surface Mount / Flange Mount | Surface Mount / Flange Mount |
| وضعیت RoHS | compliant | — |
| Lead Free | yes | — |
| Target Application | W-CDMA base station final stage | W-CDMA base station final-stage PA |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 68 V |
| Test Voltage | — | 28 V |
| Test Current | — | 610 mA |
| Output Power (Pout) | — | 14 W |
| Frequency Range | — | Up to 2170 MHz |
| بسته‌بندی / کیس | — | TO-272 WB-4 (ceramic) |
| Lead Free Status | — | Lead Free |
| Suitable For | — | TDMA, CDMA, multicarrier amplifier applications |
| Current Rating (Datasheet) | — | 10 uA |
| Manufacturer | — | NXP (formerly Freescale Semiconductor) |