MRFE6S9200HR3 vs MRFE6P9220HR3 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MRFE6S9200HR3 توسط NXP Semiconductors و MRFE6P9220HR3 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MRFE6S9200HR3 | MRFE6P9220HR3 |
|---|---|---|
| برند | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel LDMOS (RF Power) | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral |
| Technology | Enhancement-mode LDMOS (HV6E) | RF Power MOSFET |
| Frequency | 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | 66 V | — |
| Test Supply Voltage | 28 V | 28 V |
| Test Quiescent Current | 1.4 A | — |
| Output Power (Avg) | 58 W (W-CDMA) | — |
| Power Gain | 21 dB at 880 MHz | — |
| بسته‌بندی | NI-880H-2L ceramic air-cavity | NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount |
| نوع نصب | Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height | Surface Mount with copper heatsink pad |
| Lead Free Status | Lead Free (per datasheet) | Lead Free |
| Input Capacitance (Ciss) | 557.27 pF at 28 V | — |
| Operating Mode | Class AB, Class C, Doherty | — |
| Target Application | W-CDMA base-station final stage | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Frequency Range | — | 865 MHz to 1000 MHz |
| Test Frequency | — | 880 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Max | — | 66 V |
| Test Drain Current | — | 1.6 A |
| Output Power (Avg, N-CDMA) | — | 47 W |
| Peak Output Power | — | 200 W |
| Power Gain (Typ) | — | 20 dB at 880 MHz |
| Drain Efficiency | — | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] |
| Configuration | — | Common source, 2 elements |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] |