MT40A512M16JY-083E vs MT40A512M16LY-075:E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16JY-083E توسط Micron Technology و MT40A512M16LY-075:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16JY-083E MT40A512M16LY-075:E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی DRAM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM (Automotive) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 —
Clock Frequency 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) 1.33 GHz
نرخ داده 2400 MT/s (speed grade -083E) 2666 MT/s
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
Refresh Structure 8192-cycle refresh —
Refresh Window 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C —
بسته‌بندی 96-FBGA (8 x 14 mm) 96-FBGA (7.5x13.5mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
ECCN EAR99 —
بدون هالوژن Compliant —
Country of Origin China —
اندازه حافظه — 8 Gbit (512M x 16)
تأخیر CAS — 19
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
رابط — Parallel
محدوده دمای کاری — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت