MT40A512M16JY-083E vs MT40A512M16LY-075:E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A512M16JY-083E מאת Micron Technology ו MT40A512M16LY-075:E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ פעיל
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר MT40A512M16JY-083E MT40A512M16LY-075:E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה DRAM Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM (Automotive) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
ארגון 512M x 16 —
Clock Frequency 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) 1.33 GHz
קצב נתונים 2400 MT/s (speed grade -083E) 2666 MT/s
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
Refresh Structure 8192-cycle refresh —
Refresh Window 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C —
מארז 96-FBGA (8 x 14 mm) 96-FBGA (7.5x13.5mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
ECCN EAR99 —
נטול הלוגנים Compliant —
Country of Origin China —
גודל זיכרון — 8 Gbit (512M x 16)
השהיית CAS — 19
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
ממשק — Parallel
טווח טמפרטורת פעולה — 0°C to +95°C
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר