MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M8RH-075E:B توسط Micron Technology و K4A4G085WD-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالSamsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نرخ داده | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2666 Mbps/pin |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| نوع رابط | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| ولتاژ مرجع | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | 0C to +85C |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | — |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Die Generation | — | D-die |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| رابط | — | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |