MT41K64M16TW-107 vs K4B4G1646E-BYK000 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K64M16TW-107 توسط Micron Technology و K4B4G1646E-BYK000 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology
MT41K64M16TW-107 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K64M16TW-107 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 1 Gbit | 4 Gbit |
| سازمان | 64M x 16 | 256M x 16 |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| نرخ داده | 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107) | — |
| Access Time | 20 ns | 1.25 ns |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (BYK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self refresh / auto refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (lead-free, halogen-free suffix J) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Base Part Number | MT41K64M16 | — |
| Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode | 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications) | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |