PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH165VB-BCWM مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار PDRQL8KCBF12-00 توسط Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| سازمان | 2G x 8 | — |
| نرخ داده | 7200 MT/s | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | 1.1 V |
| بسته‌بندی | FBGA | FBGA-106 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| رابط | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| اندازه حافظه | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |