1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3122MC12HXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $1,45
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Boîtier PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
Nombre de sorties — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Temps de montée — 15 ns
Temps de descente — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis