1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3122MC12HXUMA1 por Infineon e 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,45
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulamento PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 2 —
Status RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
Número de saídas — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Tempo de subida — 15 ns
Tempo de descida — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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