1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED3122MC12HXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.92 $1.45
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
동작 온도 -40 C to +125 C -40 C to +125 C
패키지 PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 2 —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
출력 수 — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

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