1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3125MU12FXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3125MU12FXUMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED3125MU12FXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | EiceDRIVER Compact 1ED31xx | — |
| Fonction | Single-channel isolated gate driver | — |
| Peak Output Current | 14 A | — |
| Typical Output Current | 10 A | — |
| Isolation Voltage | 3000 Vrms | — |
| Propagation Delay (typ) | 90 ns | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Boîtier | PG-DSO-8 | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Driver Supply Voltage (VCC) | 3 V to 5.5 V (input side) | — |
| Output Side Supply (VOUT) | 12 V to 20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 C to +150 C | — |
| Active Miller Clamp | Yes | — |
| Short-Circuit Clamping | Yes | — |
| Active Shutdown | Yes | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |