1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3125MU12FXUMA1 メーカー: Infineon および 1ED3124MC12HXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED3125MU12FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $1.45
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family EiceDRIVER Compact 1ED31xx —
機能 Single-channel isolated gate driver —
Peak Output Current 14 A —
Typical Output Current 10 A —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Propagation Delay (typ) 90 ns —
Number of Channels 1 —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Magnetic coupling (coreless transformer)
パッケージ PG-DSO-8 PG-DSO-8 (DSO-8)
ピン数 8 —
Driver Supply Voltage (VCC) 3 V to 5.5 V (input side) —
Output Side Supply (VOUT) 12 V to 20 V —
動作温度範囲 -40 C to +150 C —
Active Miller Clamp Yes —
Short-Circuit Clamping Yes —
Active Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
出力数 — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
立ち上がり時間 — 15 ns
立ち下がり時間 — 30 ns
動作温度 — -40 C to +125 C
実装タイプ — Surface Mount
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

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