1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3125MU12FXUMA1 por Infineon e 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3125MU12FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family EiceDRIVER Compact 1ED31xx —
Função Single-channel isolated gate driver —
Peak Output Current 14 A —
Typical Output Current 10 A —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Propagation Delay (typ) 90 ns —
Number of Channels 1 —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Magnetic coupling (coreless transformer)
Encapsulamento PG-DSO-8 PG-DSO-8 (DSO-8)
Contagem de pinos 8 —
Driver Supply Voltage (VCC) 3 V to 5.5 V (input side) —
Output Side Supply (VOUT) 12 V to 20 V —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C —
Active Miller Clamp Yes —
Short-Circuit Clamping Yes —
Active Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Número de saídas — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Tempo de subida — 15 ns
Tempo de descida — 30 ns
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Tipo de montagem — Surface Mount
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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