1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3125MU12FXUMA1 von Infineon und 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3125MU12FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family EiceDRIVER Compact 1ED31xx —
Funktion Single-channel isolated gate driver —
Peak Output Current 14 A —
Typical Output Current 10 A —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Propagation Delay (typ) 90 ns —
Number of Channels 1 —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Magnetic coupling (coreless transformer)
Gehäuse PG-DSO-8 PG-DSO-8 (DSO-8)
Pin-Anzahl 8 —
Driver Supply Voltage (VCC) 3 V to 5.5 V (input side) —
Output Side Supply (VOUT) 12 V to 20 V —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C —
Active Miller Clamp Yes —
Short-Circuit Clamping Yes —
Active Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Anstiegszeit — 15 ns
Abfallzeit — 30 ns
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Montageart — Surface Mount
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Datenblätter & Ressourcen

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