1EDI3033ASXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1EDI3033ASXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1EDI3033ASXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,21 | $1,45 |
| Fonction | Isolated single-channel gate driver | — |
| Technology | Coreless transformer isolation | — |
| Output Current (Source/Sink) | 12 A typical | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5700 Vrms | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Propagation Delay | 60 ns typical | — |
| Target Power Device | SiC MOSFET, IGBT | — |
| Boîtier | PG-DSO-20-91 (wide-body) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Short-Circuit Protection | DESAT with programmable blanking | — |
| Miller Clamp | Active Miller clamp integrated | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Functional Safety | ISO 26262 ASIL D ready | — |
| Creepage Distance | 8 mm (typical for wide-body DSO-20) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Compliance | RoHS compliant | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |
| Statut RoHS | — | Compliant |