1EDI3033ASXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDI3033ASXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDI3033ASXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.21 $1.45
기능 Isolated single-channel gate driver —
Technology Coreless transformer isolation —
Output Current (Source/Sink) 12 A typical —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Number of Channels 1 —
Propagation Delay 60 ns typical —
Target Power Device SiC MOSFET, IGBT —
패키지 PG-DSO-20-91 (wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
동작 온도 -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Short-Circuit Protection DESAT with programmable blanking —
Miller Clamp Active Miller clamp integrated —
Bootstrap Diode Integrated —
Functional Safety ISO 26262 ASIL D ready —
Creepage Distance 8 mm (typical for wide-body DSO-20) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
출력 수 — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS 상태 — Compliant

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