1EDI3033ASXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDI3033ASXUMA1 por Infineon e 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDI3033ASXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,21 $1,45
Função Isolated single-channel gate driver —
Technology Coreless transformer isolation —
Output Current (Source/Sink) 12 A typical —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Number of Channels 1 —
Propagation Delay 60 ns typical —
Target Power Device SiC MOSFET, IGBT —
Encapsulamento PG-DSO-20-91 (wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Short-Circuit Protection DESAT with programmable blanking —
Miller Clamp Active Miller clamp integrated —
Bootstrap Diode Integrated —
Functional Safety ISO 26262 ASIL D ready —
Creepage Distance 8 mm (typical for wide-body DSO-20) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Número de saídas — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Tempo de subida — 15 ns
Tempo de descida — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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