1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7116GXTMA1 par Infineon et 2EDN7534RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7116GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $0,40
Fonction Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 4.5 V to 20 V
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C —
Boîtier PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-TSSOP-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL3 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Configuration de sortie — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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