1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7116GXTMA1 por Infineon e 2EDN7534RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7116GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $0,40
Função Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 4.5 V to 20 V
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +125 °C —
Encapsulamento PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-TSSOP-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL3 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Configuração de saída — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Temperatura de operação — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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