1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7116GXTMA1 от Infineon и 2EDN7534RXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon

1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon

1EDN7116GXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7116GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,84 $0,40
Функция Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 4.5 V to 20 V
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Диапазон рабочих температур -40 °C to +125 °C —
Корпус PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-TSSOP-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL3 1 (unlimited)
Статус RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Выходная конфигурация — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Рабочая температура — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену