1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN8533RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7136UXTSA1 par Infineon et 2EDN8533RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7136UXTSA1 2EDN8533RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,78
Fonction High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Nombre de sorties 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature]
Boîtier TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes (per Infineon product family convention) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Driver Configuration — Low-side, dual independent channels
Peak Source/Sink Current — 5 A per channel
Number of Channels — 2
Input Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance (absolute max) — -12 V to +22 V
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Output Resistance — Low (per datasheet; see SG figure)
Propagation Delay — Matched between channels (excellent timing accuracy)

Fiches techniques et ressources

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