1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN8533RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7136UXTSA1 por Infineon e 2EDN8533RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7136UXTSA1 2EDN8533RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,78
Função High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Número de saídas 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature]
Encapsulamento TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes (per Infineon product family convention) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Driver Configuration — Low-side, dual independent channels
Peak Source/Sink Current — 5 A per channel
Number of Channels — 2
Input Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance (absolute max) — -12 V to +22 V
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Output Resistance — Low (per datasheet; see SG figure)
Propagation Delay — Matched between channels (excellent timing accuracy)

Fichas técnicas e recursos

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