1EDN7146UXTSA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7146UXTSA1 par Infineon et 1EDN7136UXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7146UXTSA1 1EDN7136UXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,74
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Temps de montée [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +150 C
Boîtier PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Fonction — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Nombre de sorties — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes (per Infineon product family convention)

Fiches techniques et ressources

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