1EDN7146UXTSA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7146UXTSA1 por Infineon e 1EDN7136UXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7146UXTSA1 1EDN7136UXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,74
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Tempo de subida [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Tempo de descida [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +150 C
Encapsulamento PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Função — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Número de saídas — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes (per Infineon product family convention)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação