2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21064S06JXUMA1 par Infineon et 2ED2103S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21064S06JXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $0,94
Fonction High-Side and Low-Side Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Non-Inverting
Topologie High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C

Fiches techniques et ressources

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