2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED21064S06JXUMA1 por Infineon e 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED21064S06JXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,85 $0,94
Função High-Side and Low-Side Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Non-Inverting
Topologia High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C

Fichas técnicas e recursos

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