2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED21064S06JXUMA1 제조: Infineon 및 2ED2103S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED21064S06JXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.85 $0.94
기능 High-Side and Low-Side Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Non-Inverting
토폴로지 High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
동작 온도 범위 — -40C to +125C

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