2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL5023U2DXTMA1 par Infineon et 2EDL900G3XTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL900G3XTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,40 $2,20
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Nombre de sorties 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (high-side + low-side)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Boîtier PG-TSNP-12-5 TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +125C (typical industrial range) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Isolation Type — Junction isolation (JI), 120 V
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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