2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL5023U2DXTMA1 por Infineon e 2EDL900G3XTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL900G3XTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,40 $2,20
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Número de saídas 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (high-side + low-side)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Encapsulamento PG-TSNP-12-5 TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40C to +125C (typical industrial range) —
Status RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Isolation Type — Junction isolation (JI), 120 V
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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