2EDN8534FXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN8534FXTMA1 par Infineon et 2EDN7524GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon
2EDN7524GXTMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | 2EDN8534FXTMA1 | 2EDN7524GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,82 |
| Driver Type | Dual Low-Side Gate Driver | — |
| Number of Channels | 2 | 2 (dual) |
| Configuration de sortie | Non-Inverting | — |
| Peak Source/Sink Current | 5 A / 5 A | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] |
| Propagation Delay (Typ) | 19 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Match | 1 ns (typ) | — |
| Input Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance | -12 V to +22 V (absolute max) | -10 V to +20 V on logic pins |
| Active Miller Clamp | Yes (internal) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Boîtier | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Family | EiceDRIVER 2EDN | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Drive Current (Source/Sink) | — | 5 A peak |
| Input Logic | — | Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible |
| Propagation Delay | — | 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure] |
| Channel-to-Channel Delay Matching | — | 1 ns |
| Temps de montée | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| Temps de descente | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| Output Stage | — | Rail-to-rail, separate source/sink |
| UVLO Protection | — | Yes |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Target Devices | — | Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs |