2EDN8534FXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDN8534FXTMA1 por Infineon e 2EDN7524GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDN8534FXTMA1 2EDN7524GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,82
Driver Type Dual Low-Side Gate Driver —
Number of Channels 2 2 (dual)
Configuração de saída Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay (Typ) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Match 1 ns (typ) —
Input Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) -10 V to +20 V on logic pins
Active Miller Clamp Yes (internal) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-DSO-8 (DSO-8) PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Family EiceDRIVER 2EDN —
Product Type — Low-side gate driver IC
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
Tempo de subida — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Tempo de descida — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

Fichas técnicas e recursos

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