2N7002LT1G vs 2N7002H6327XTSA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002LT1G par onsemi et 2N7002H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2N7002LT1G | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,08 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Mode | Enhancement Mode | Enhancement |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | — |
| Boîtier | SOT-23-3 (TO-236) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Catégorie | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | OptiMOS (Planar) |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | — |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (Tj) |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial Grade |