2N7002LT1G vs 2N7002H6327XTSA2 比較

詳細な並列比較: 2N7002LT1G メーカー: onsemi および 2N7002H6327XTSA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ 生産中
Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002LT1G 2N7002H6327XTSA2
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.02 $0.08
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode Enhancement
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
パッケージ SOT-23-3 (TO-236) PG-SOT23 (SOT-23-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
カテゴリ Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET OptiMOS (Planar)
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (Tj)
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Qualification — Industrial / Commercial Grade

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