2N7002LT1G vs BSS138LT1G-VB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002LT1G par onsemi et BSS138LT1G-VB par VBsemi Elec. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2N7002LT1G | BSS138LT1G-VB |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | VBsemi Elec |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,02 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Boîtier | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Catégorie | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | — |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | VBsemi Elec |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| Type de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 200 mA (Ta) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 225 mW (Ta) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) Max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on)] |
| Drive Voltage | — | [DATA_NEEDED: drive voltage] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Equivalent To | — | onsemi BSS138LT1G |