2N7002LT1G vs BSS138LT1G-VB 比較

詳細な並列比較: 2N7002LT1G メーカー: onsemi および BSS138LT1G-VB メーカー: VBsemi Elec。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ 生産中
VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002LT1G BSS138LT1G-VB
ブランド onsemi VBsemi Elec
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.02 $0.02
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET Single FET
パッケージ SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
カテゴリ Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET —
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) VBsemi Elec
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Drain Current (Id) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 225 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: RDS(on)]
Drive Voltage — [DATA_NEEDED: drive voltage]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS ステータス — Compliant
Equivalent To — onsemi BSS138LT1G

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼