AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C256M16D3L-12BCN par Alliance Memory et K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Fréquence d'horloge maximale | 800 MHz | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| Latence CAS | 20 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Boîtier | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Style de montage | SMD/SMT | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Type d'interface | Parallel | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |