AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory et H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,20 | $55,68 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 Mbps |
| Latence CAS | 18 ns | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Interface | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |