AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較

詳細な並列比較: AS4C512M16D4A-62BCN メーカー: Alliance Memory および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AS4C512M16D4A-62BCN H5AN8G6NDJR-XNC
ブランド Alliance Memory SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.20 $55.68
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 —
電源電圧 1.2 V —
データレート 1600 MHz (3200 Mbps) 3200 Mbps
CASレイテンシ 18 ns —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
動作温度 0°C to 95°C —
実装タイプ Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
インターフェース POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS ステータス Compliant —
Packaging Tray —
Memory Organization — 512M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

データシート&リソース

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