AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16TB-062E:R Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4B-62BCNTR par Alliance Memory et MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4B-62BCNTR MT40A512M16TB-062E:R
Marque Alliance Memory Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $60,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Débit de données 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Latence CAS 19 ns 22
Tension d'alimentation 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Interface Parallel Parallel
Boîtier 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Température de fonctionnement 0°C to 95°C 0°C to +95°C
Type de montage Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Revision Rev.B —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Largeur du bus de données — 16 bits
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Caractéristiques — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

Fiches techniques et ressources

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