AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16TB-062E:R Сравнение

Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4B-62BCNTR от Alliance Memory и MT40A512M16TB-062E:R от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр AS4C512M16D4B-62BCNTR MT40A512M16TB-062E:R
Бренд Alliance Memory Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,10 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Скорость передачи данных 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Задержка CAS 19 ns 22
Напряжение питания 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Интерфейс Parallel Parallel
Корпус 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Рабочая температура 0°C to 95°C 0°C to +95°C
Тип монтажа Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Организация памяти 512M x 16 —
Revision Rev.B —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Разрядность шины данных — 16 bits
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Особенности — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену