AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16TB-062E:R 比較

詳細な並列比較: AS4C512M16D4B-62BCNTR メーカー: Alliance Memory および MT40A512M16TB-062E:R メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AS4C512M16D4B-62BCNTR MT40A512M16TB-062E:R
ブランド Alliance Memory Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.10 $60.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
データレート 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
CASレイテンシ 19 ns 22
電源電圧 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
インターフェース Parallel Parallel
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
動作温度 0°C to 95°C 0°C to +95°C
実装タイプ Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
メモリ構成 512M x 16 —
Revision Rev.B —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
データバス幅 — 16 bits
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
特長 — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

データシート&リソース

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