AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16TB-062E:R Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory e MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro AS4C512M16D4B-62BCNTR MT40A512M16TB-062E:R
Marca Alliance Memory Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $60,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Taxa de dados 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Latência CAS 19 ns 22
Tensão de alimentação 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Interface Parallel Parallel
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Temperatura de operação 0°C to 95°C 0°C to +95°C
Tipo de montagem Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Organização da memória 512M x 16 —
Revision Rev.B —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Largura do barramento de dados — 16 bits
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Recursos — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

Fichas técnicas e recursos

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