AUIRF7640S2TR vs IPB019N08N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AUIRF7640S2TR par Infineon et IPB019N08N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre AUIRF7640S2TR IPB019N08N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $2,74
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
Boîtier DirectFET SB (Surface Mount) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] -55 °C to +175 °C
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF

Fiches techniques et ressources

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