AUIRF7640S2TR vs IPB019N08N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AUIRF7640S2TR por Infineon e IPB019N08N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro AUIRF7640S2TR IPB019N08N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $2,74
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
Encapsulamento DirectFET SB (Surface Mount) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] -55 °C to +175 °C
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF

Fichas técnicas e recursos

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