BAT46 vs 1N5711 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BAT46 par STMicroelectronics et 1N5711 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BAT46 1N5711
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,05 $0,18
Diode Type Small signal Schottky diode Small-signal Schottky barrier (RF) diode
Reverse Voltage (VR) 100 V —
Average Forward Current (IF) 150 mA —
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: VF at rated current] 0.41 V (at 1 mA, per MACOM)
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
Junction Capacitance (Cj) [DATA_NEEDED: junction capacitance] 1 pF
Boîtier DO-35 (axial, glass) DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass
Type de montage Through Hole Through-Hole
Configuration Single diode —
Application Class Protection and routing operations —
Statut RoHS RoHS3 Compliant Compliant
REACH Status Unaffected —
Niveau MSL 1 (Unlimited) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Series BAT46 —
Manufacturer Equivalents STMicroelectronics, Vishay General Semiconductor —
Peak Reverse Voltage (VRRM) — 70 V
Continuous Forward Current (IF) — 15 mA
Power Dissipation — 430 mW
Total Capacitance — 2 pF
Dynamic Resistance — 35 ohm
Breakdown Voltage (VB) — 70 V
Switching Speed — Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage)
Junction Structure — Metal-to-silicon junction with PN guard ring
Reverse Leakage Current — [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis